VS-30CTQ100STRLPBF · 전자 부품
- 제조사
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- 평균 정류 전류 (Io) / 다이오드
- 15A
- 동작 접합 온도
- -55°C ~ 175°C
전자 부품
BAV21W · 전자 부품
- 제조사
- Taiwan Semiconductor Corporation
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 100 NA @ 200 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 1.25 V @ 200 MA
SS1040FL-AU_R1_000A1 · 전자 부품
- 제조사
- Panjit International Inc.
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 30 µA @ 40 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 550 MV @ 1 A
BAV20W-HE3-08 · 전자 부품
- 제조사
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 100 NA @ 150 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 1.25 V @ 200 MA
VS-6CWQ10FNTRLPBF · 전자 부품
- 제조사
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- 평균 정류 전류 (Io) / 다이오드
- 3.5A
- 동작 접합 온도
- -40°C ~ 150°C
SXM36V_R1_00001 · 전자 부품
- 제조사
- Panjit International Inc.
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 220 µA @ 60 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 500 MV @ 3 A
UFT14140D · 전자 부품
- 제조사
- Microsemi Corporation
- 평균 정류 전류 (Io) / 다이오드
- 70A
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 1.25 V @ 70 A
SS1060_R1_00001 · 전자 부품
- 제조사
- Panjit International Inc.
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 30 µA @ 60 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 700 MV @ 1 A
VS-20CTQ045STRLPBF · 전자 부품
- 제조사
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- 평균 정류 전류 (Io) / 다이오드
- 20A
- 동작 접합 온도
- -55°C ~ 175°C
S1FLM-GS18 · 전자 부품
- 제조사
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 10 µA @ 1000 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 1.1 V @ 1 A
FST60100A · 전자 부품
- 제조사
- Microsemi Corporation
- 평균 정류 전류 (Io) / 다이오드
- 60A
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 860 MV @ 60 A
1SS82RE-E · 전자 부품
- 제조사
- Renesas Electronics America Inc
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 200 NA @ 200 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 1 V @ 100 MA
VS-6CWQ04FNTRLPBF · 전자 부품
- 제조사
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- 평균 정류 전류 (Io) / 다이오드
- 3.5A
- 동작 접합 온도
- -40°C ~ 150°C
PMEG4002ELD · 전자 부품
- 제조사
- Nexperia USA Inc.
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 10 µA @ 40 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 600 MV @ 200 MA