전자 부품
APT2X30DC120J · 전자 부품
- 제조사
- Microsemi Corporation
- 평균 정류 전류 (Io) / 다이오드
- 30A
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 1.8 V @ 30 A
SD103AW-G3-08 · 전자 부품
- 제조사
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 5 µA @ 30 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 600 MV @ 200 MA
SD101CWS-HE3-08 · 전자 부품
- 제조사
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 200 NA @ 30 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 900 MV @ 15 MA
VS-82CNQ030ASLPBF · 전자 부품
- 제조사
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- 평균 정류 전류 (Io) / 다이오드
- 40A
- 동작 접합 온도
- -55°C ~ 150°C
1N4002GPE-E3/54 · 전자 부품
- 제조사
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 5 µA @ 100 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 1.1 V @ 1 A
SL04-HM3-08 · 전자 부품
- 제조사
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 20 µA @ 40 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 540 MV @ 1.1 A
FST16090A · 전자 부품
- 제조사
- Microsemi Corporation
- 평균 정류 전류 (Io) / 다이오드
- 80A
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 960 MV @ 80 A
CCS15F40 · 전자 부품
- 제조사
- Toshiba Semiconductor And Storage
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 25 µA @ 40 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 640 MV @ 1.5 A
MSS2P3-M3/89A · 전자 부품
- 제조사
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 250 µA @ 30 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 600 MV @ 2 A
LL43-GS18 · 전자 부품
- 제조사
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 500 NA @ 25 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 450 MV @ 15 MA
VS-10CTQ150SPBF · 전자 부품
- 제조사
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- 평균 정류 전류 (Io) / 다이오드
- 5A
- 동작 접합 온도
- -55°C ~ 175°C
SB2H90-E3/54 · 전자 부품
- 제조사
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 10 µA @ 90 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 790 MV @ 2 A
UFT14260A · 전자 부품
- 제조사
- Microsemi Corporation
- 평균 정류 전류 (Io) / 다이오드
- 70A
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 1.35 V @ 70 A