BY206GP-E3/54 · 전자 부품
- 제조사
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 2 µA @ 300 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 1.5 V @ 2 A
전자 부품
RB068VWM-30TFTR · 전자 부품
- 제조사
- Rohm Semiconductor
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 600 NA @ 30 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 750 MV @ 2 A
SB260 · 전자 부품
- 제조사
- SMC Diode Solutions
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 500 µA @ 60 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 700 MV @ 2 A
RRE02VTM4SFHTR · 전자 부품
- 제조사
- Rohm Semiconductor
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 1 µA @ 400 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 1.1 V @ 200 MA
HN2D01FU(TE85L · 전자 부품
- 제조사
- Toshiba Semiconductor And Storage
- 평균 정류 전류 (Io) / 다이오드
- 80mA
- 동작 접합 온도
- 125°C (Max)
S8MS-E3/I · 전자 부품
- 제조사
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 10 µA @ 1000 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 985 MV @ 8 A
1N5818RL · 전자 부품
- 제조사
- STMicroelectronics
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 500 µA @ 30 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 500 MV @ 1 A
VS-HFA30TA60C-N3 · 전자 부품
- 제조사
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- 평균 정류 전류 (Io) / 다이오드
- 15A
- 동작 접합 온도
- -55°C ~ 150°C
SS13-E3/5AT · 전자 부품
- 제조사
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 200 µA @ 30 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 500 MV @ 1 A
VS-6CWQ03FNTRPBF · 전자 부품
- 제조사
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- 평균 정류 전류 (Io) / 다이오드
- 3.5A
- 동작 접합 온도
- -40°C ~ 150°C
PNE20040EPE-QZ · 전자 부품
- 제조사
- Nexperia USA Inc.
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 1 µA @ 200 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 930 MV @ 4 A
VS-60CTQ150-N3 · 전자 부품
- 제조사
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- 평균 정류 전류 (Io) / 다이오드
- 30A
- 동작 접합 온도
- -55°C ~ 175°C
PMEG2010EA · 전자 부품
- 제조사
- Nexperia USA Inc.
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 50 µA @ 15 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 550 MV @ 1 A