SF2004G · 전자 부품
- 제조사
- Taiwan Semiconductor Corporation
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 5 µA @ 200 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 975 MV @ 10 A
전자 부품
VB20100S-M3/4W · 전자 부품
- 제조사
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 500 µA @ 100 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 900 MV @ 20 A
MBRF1045HE3_A/P · 전자 부품
- 제조사
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 100 µA @ 45 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 840 MV @ 20 A
VI30120SG-M3/4W · 전자 부품
- 제조사
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 500 µA @ 120 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 1.28 V @ 30 A
NRVTS30120MFST3G · 전자 부품
- 제조사
- Onsemi
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 150 µA @ 120 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 950 MV @ 30 A
SFAF508G · 전자 부품
- 제조사
- Taiwan Semiconductor Corporation
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 10 µA @ 600 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 1.7 V @ 5 A
JAN1N914 · 전자 부품
- 제조사
- Microchip Technology
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 500 NA @ 75 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 1.2 V @ 50 MA
VB20100S-M3/8W · 전자 부품
- 제조사
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 300 µA @ 120 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 1.12 V @ 20 A
VS-HFA06TB120SL-M3 · 전자 부품
- 제조사
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 5 µA @ 1200 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 3.9 V @ 12 A
VB20120SG-E3/8W · 전자 부품
- 제조사
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 250 µA @ 120 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 1.33 V @ 20 A
MBRB1535-TP · 전자 부품
- 제조사
- Micro Commercial Co
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 150 µA @ 35 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 520 MV @ 15 A