RBR2MM60ATFTR · 전자 부품
- 제조사
- Rohm Semiconductor
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 75 µA @ 60 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 650 MV @ 2 A
전자 부품
BYW36-TAP · 전자 부품
- 제조사
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 5 µA @ 600 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 1.1 V @ 1 A
NTE579 · 전자 부품
- 제조사
- NTE Electronics, Inc
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 600 µA @ 90 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 790 MV @ 3 A
AS3PG-M3/86A · 전자 부품
- 제조사
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 10 µA @ 400 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 920 MV @ 1.5 A
NTE5850 · 전자 부품
- 제조사
- NTE Electronics, Inc
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 12 MA @ 50 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 1.1 V @ 19 A
V40M150CHM3/4W · 전자 부품
- 제조사
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- 평균 정류 전류 (Io) / 다이오드
- 20A
- 동작 접합 온도
- -40°C ~ 175°C
PMEG2005EB · 전자 부품
- 제조사
- Nexperia USA Inc.
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 30 µA @ 10 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 480 MV @ 500 MA
BYV26D-TAP · 전자 부품
- 제조사
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 5 µA @ 800 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 2.5 V @ 1 A
VS-ETU3006STRLHM3 · 전자 부품
- 제조사
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 30 µA @ 600 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 2 V @ 30 A
VS-60CTQ035PBF · 전자 부품
- 제조사
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- 평균 정류 전류 (Io) / 다이오드
- 30A
- 동작 접합 온도
- 150°C (Max)
SS3P6HM3/84A · 전자 부품
- 제조사
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 100 µA @ 60 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 780 MV @ 3 A
BY268TR · 전자 부품
- 제조사
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 2 µA @ 1400 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 1.25 V @ 400 MA