ES1D-M3/61T · 전자 부품
- 제조사
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 5 µA @ 200 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 920 MV @ 1 A
전자 부품
1N5627-TAP · 전자 부품
- 제조사
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 1 µA @ 200 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 1 V @ 3 A
V20D202CHM3/I · 전자 부품
- 제조사
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- 평균 정류 전류 (Io) / 다이오드
- 10A
- 동작 접합 온도
- -40°C ~ 175°C
1N3600UR/TR · 전자 부품
- 제조사
- Microchip Technology
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 100 NA @ 50 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 1 V @ 200 MA
DST1040S-A · 전자 부품
- 제조사
- Littelfuse Inc.
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 800 µA @ 45 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 570 MV @ 10 A
CLS10F40 · 전자 부품
- 제조사
- Toshiba Semiconductor And Storage
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 25 µA @ 40 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 570 MV @ 1 A
VT60M120CHM3/4W · 전자 부품
- 제조사
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- 평균 정류 전류 (Io) / 다이오드
- 30A
- 동작 접합 온도
- -40°C ~ 175°C
JANTX1N5619 · 전자 부품
- 제조사
- Microchip Technology
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 500 NA @ 600 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 1.6 V @ 3 A
VS-CPH6006L-M3 · 전자 부품
- 제조사
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- 평균 정류 전류 (Io) / 다이오드
- 15A
- 동작 접합 온도
- -65°C ~ 175°C
1N5625-TAP · 전자 부품
- 제조사
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 1 µA @ 200 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 1 V @ 3 A
SL345A-TP · 전자 부품
- 제조사
- Micro Commercial Co
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 100 µA @ 45 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 450 MV @ 3 A
VS-25FR20 · 전자 부품
- 제조사
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 12 MA @ 200 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 1.3 V @ 78 A
RS07J-GS08 · 전자 부품
- 제조사
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 10 µA @ 600 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 1.15 V @ 700 MA