BYC10-600 · 전자 부품
- 제조사
- WeEn Semiconductors
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 200 µA @ 600 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 2.9 V @ 10 A
전자 부품
SBR02M30LP-7 · 전자 부품
- 제조사
- Diodes Incorporated
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 500 NA @ 30 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 610 MV @ 200 MA
1N5811US/TR · 전자 부품
- 제조사
- Microchip Technology
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 5 µA @ 150 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 875 MV @ 4 A
VS-10TQ045-M3 · 전자 부품
- 제조사
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 2 MA @ 45 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 670 MV @ 20 A
1PS70SB82 · 전자 부품
- 제조사
- Nexperia USA Inc.
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 200 NA @ 1 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 700 MV @ 30 MA
VS-15ETH06-M3 · 전자 부품
- 제조사
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 50 µA @ 600 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 2.2 V @ 15 A
CMLD6001 · 전자 부품
- 제조사
- Central Semiconductor Corp
- 평균 정류 전류 (Io) / 다이오드
- 250mA (DC)
- 동작 접합 온도
- -65°C ~ 150°C
SS110L · 전자 부품
- 제조사
- Taiwan Semiconductor Corporation
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 50 µA @ 100 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 800 MV @ 1 A
1N5551US · 전자 부품
- 제조사
- Microchip Technology
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 1 µA @ 400 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 1.2 V @ 9 A