전자 부품
S2B-E3/52T · 전자 부품
- 제조사
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 1 µA @ 100 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 1.15 V @ 1.5 A
FFSP4065BDN-F085 · 전자 부품
- 제조사
- Onsemi
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 40 µA @ 650 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 1.7 V @ 20 A
VS-30ETU12-M3 · 전자 부품
- 제조사
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 145 µA @ 1200 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 2.68 V @ 30 A
DSC10120 · 전자 부품
- 제조사
- Diodes Incorporated
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 640 µA @ 1200 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 1.7 V @ 10 A
MBRB20H35CT-E3/81 · 전자 부품
- 제조사
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- 평균 정류 전류 (Io) / 다이오드
- 10A
- 동작 접합 온도
- -65°C ~ 175°C
VS-50WQ04FNHM3 · 전자 부품
- 제조사
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 3 MA @ 40 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 510 MV @ 5 A
NTE5896 · 전자 부품
- 제조사
- NTE Electronics, Inc
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 12 MA @ 200 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 1.23 V @ 50 A
SE30AFJHM3/6A · 전자 부품
- 제조사
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 10 µA @ 600 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 1.1 V @ 3 A
S4D02120A · 전자 부품
- 제조사
- SMC Diode Solutions
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 10 µA @ 1200 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 1.8 V @ 2 A





