MBRB30H50CTHE3_A/P · 전자 부품
- 제조사
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- 평균 정류 전류 (Io) / 다이오드
- 15A
- 동작 접합 온도
- -65°C ~ 175°C
전자 부품
SL04-E3-18 · 전자 부품
- 제조사
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 20 µA @ 40 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 540 MV @ 1.1 A
VSSAF5N50-M3/6A · 전자 부품
- 제조사
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 1.4 MA @ 50 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 410 MV @ 2.5 A
IDW20S120FKSA1 · 전자 부품
- 제조사
- Infineon Technologies
- 평균 정류 전류 (Io) / 다이오드
- 10A (DC)
- 동작 접합 온도
- -55°C ~ 175°C
DZ1070N22KHPSA3 · 전자 부품
- 제조사
- Infineon Technologies
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 150 MA @ 2200 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 1.11 V @ 3000 A
MBRB2035CTHE3_A/P · 전자 부품
- 제조사
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- 평균 정류 전류 (Io) / 다이오드
- 10A
- 동작 접합 온도
- -65°C ~ 150°C
RS1GHE3_A/H · 전자 부품
- 제조사
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 5 µA @ 400 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 1.3 V @ 1 A
CMOSH-4E · 전자 부품
- 제조사
- Central Semiconductor Corp
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 500 NA @ 25 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 1 V @ 200 MA
IDW40G65C5BXKSA1 · 전자 부품
- 제조사
- Infineon Technologies
- 평균 정류 전류 (Io) / 다이오드
- 20A (DC)
- 동작 접합 온도
- -55°C ~ 175°C
NTE6368 · 전자 부품
- 제조사
- NTE Electronics, Inc
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 50 MA @ 1400 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 2 V @ 800 A
1N5822-E3/54 · 전자 부품
- 제조사
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 2 MA @ 40 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 525 MV @ 3 A
MB20H90CTHE3_A/P · 전자 부품
- 제조사
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- 평균 정류 전류 (Io) / 다이오드
- 10A
- 동작 접합 온도
- -65°C ~ 175°C
V3PL45HM3/H · 전자 부품
- 제조사
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 450 µA @ 45 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 540 MV @ 3 A