FEP16BT-5001HE3/45 · 전자 부품
- 제조사
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- 평균 정류 전류 (Io) / 다이오드
- 16A
- 동작 접합 온도
- -55°C ~ 150°C
전자 부품
BAL99E6433HTMA1 · 전자 부품
- 제조사
- Infineon Technologies
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 1 µA @ 70 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 1.25 V @ 150 MA
SRF1020HC0G · 전자 부품
- 제조사
- Taiwan Semiconductor Corporation
- 평균 정류 전류 (Io) / 다이오드
- 10A
- 동작 접합 온도
- -55°C ~ 125°C
STPS20SM60D · 전자 부품
- 제조사
- STMicroelectronics
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 85 µA @ 60 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 630 MV @ 20 A
BYW29-100801HE3/45 · 전자 부품
- 제조사
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 10 µA @ 100 V
- 동작 접합 온도
- -65°C ~ 150°C
B0530WSQ-7-F · 전자 부품
- 제조사
- Diodes Incorporated
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 500 µA @ 30 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 450 MV @ 500 MA
SR2090HC0G · 전자 부품
- 제조사
- Taiwan Semiconductor Corporation
- 평균 정류 전류 (Io) / 다이오드
- 20A
- 동작 접합 온도
- -55°C ~ 150°C
SDM0440S3F-7 · 전자 부품
- 제조사
- Diodes Incorporated
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 20 µA @ 40 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 700 MV @ 400 MA
VS-15TQ060S-M3 · 전자 부품
- 제조사
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 800 µA @ 60 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 620 MV @ 15 A
SRF10100HC0G · 전자 부품
- 제조사
- Taiwan Semiconductor Corporation
- 평균 정류 전류 (Io) / 다이오드
- 10A
- 동작 접합 온도
- -55°C ~ 150°C
BAT760Z · 전자 부품
- 제조사
- Nexperia USA Inc.
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 50 µA @ 15 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 550 MV @ 1 A
PG158_R2_00001 · 전자 부품
- 제조사
- Panjit International Inc.
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 1 µA @ 800 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 1.1 V @ 1.5 A
SR2060HC0G · 전자 부품
- 제조사
- Taiwan Semiconductor Corporation
- 평균 정류 전류 (Io) / 다이오드
- 20A
- 동작 접합 온도
- -55°C ~ 150°C
APT30DQ60BG · 전자 부품
- 제조사
- Microchip Technology
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 25 µA @ 600 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 2.4 V @ 30 A
SBA340AH_R1_00001 · 전자 부품
- 제조사
- Panjit International Inc.
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 150 µA @ 40 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 480 MV @ 3 A