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전자 부품

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RS1MLSH · 전자 부품

제조사: Taiwan Semiconductor Corporation
Vr 조건의 역방향 누설 전류: 5 µA @ 1000 V
If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf): 1.3 V @ 1.2 A

BAY73 · 전자 부품

제조사: Onsemi
Vr 조건의 역방향 누설 전류: 5 NA @ 100 V
If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf): 1 V @ 200 MA

S15GLWH · 전자 부품

제조사: Taiwan Semiconductor Corporation
Vr 조건의 역방향 누설 전류: 1 µA @ 400 V
If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf): 1.1 V @ 1.5 A

RS3KHE3_A/H · 전자 부품

제조사: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Vr 조건의 역방향 누설 전류: 10 µA @ 800 V
If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf): 1.3 V @ 2.5 A

LS103A-GS18 · 전자 부품

제조사: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Vr 조건의 역방향 누설 전류: 5 µA @ 30 V
If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf): 600 MV @ 200 MA

MURS360-M3/57T · 전자 부품

제조사: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Vr 조건의 역방향 누설 전류: 10 µA @ 600 V
If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf): 1.28 V @ 3 A

RS3K-E3/57T · 전자 부품

제조사: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Vr 조건의 역방향 누설 전류: 10 µA @ 800 V
If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf): 1.3 V @ 2.5 A

GI1-1600GP-E3/54 · 전자 부품

제조사: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Vr 조건의 역방향 누설 전류: 10 µA @ 1600 V
If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf): 1.1 V @ 1 A

B160-M3/61T · 전자 부품

제조사: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Vr 조건의 역방향 누설 전류: 200 µA @ 60 V
If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf): 750 MV @ 1 A

V12PM153HM3/I · 전자 부품

제조사: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Vr 조건의 역방향 누설 전류: 150 µA @ 150 V
If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf): 850 MV @ 12 A

MURS1J-TP · 전자 부품

제조사: Micro Commercial Co
Vr 조건의 역방향 누설 전류: 5 µA @ 600 V
If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf): 1.25 V @ 1 A

V10PM15HM3/H · 전자 부품

제조사: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Vr 조건의 역방향 누설 전류: 200 µA @ 150 V
If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf): 1.08 V @ 10 A

SS36HE3_B/H · 전자 부품

제조사: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Vr 조건의 역방향 누설 전류: 500 µA @ 60 V
If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf): 750 MV @ 3 A

BAS40WX-TP · 전자 부품

제조사: Micro Commercial Co
Vr 조건의 역방향 누설 전류: 200 NA @ 30 V
If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf): 1 V @ 40 MA

V10PM6HM3/H · 전자 부품

제조사: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Vr 조건의 역방향 누설 전류: 800 µA @ 60 V
If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf): 640 MV @ 10 A

AS4PM-M3/86A · 전자 부품

제조사: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Vr 조건의 역방향 누설 전류: 10 µA @ 1000 V
If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf): 962 MV @ 2 A

V3FM10-M3/I · 전자 부품

제조사: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Vr 조건의 역방향 누설 전류: 85 µA @ 100 V
If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf): 830 MV @ 3 A

STR10100LYD_L2_00001 · 전자 부품

제조사: Panjit International Inc.
Vr 조건의 역방향 누설 전류: 50 µA @ 100 V
If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf): 750 MV @ 10 A