전자 부품
HS3J-K · 전자 부품
- 제조사
- Taiwan Semiconductor Corporation
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 10 µA @ 600 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 1.7 V @ 3 A
SB1100-T · 전자 부품
- 제조사
- Diodes Incorporated
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 500 µA @ 100 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 800 MV @ 1 A
VS-1EMH01HM3/5AT · 전자 부품
- 제조사
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 2 µA @ 100 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 900 MV @ 1 A
SB5H90-E3/54 · 전자 부품
- 제조사
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 200 µA @ 90 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 800 MV @ 5 A
1N4006E-E3/54 · 전자 부품
- 제조사
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 5 µA @ 800 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 1.1 V @ 1 A
SL03-M-18 · 전자 부품
- 제조사
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 130 µA @ 30 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 430 MV @ 1.1 A
SS2PH9HM3_A/H · 전자 부품
- 제조사
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 1 µA @ 29 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 800 MV @ 2 A