VS-20ETS08STRR-M3 · 전자 부품
- 제조사
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 100 µA @ 800 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 1.1 V @ 20 A
전자 부품
TSN525M60H · 전자 부품
- 제조사
- Taiwan Semiconductor Corporation
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 500 µA @ 60 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 630 MV @ 25 A
VS-ETU1506S2LHM3 · 전자 부품
- 제조사
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 15 µA @ 600 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 1.9 V @ 15 A
VS-25ETS08STRL-M3 · 전자 부품
- 제조사
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 100 µA @ 800 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 1.14 V @ 25 A
VS-25ETS12STRR-M3 · 전자 부품
- 제조사
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 100 µA @ 1200 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 1.14 V @ 25 A
1N645A/TR · 전자 부품
- 제조사
- Microchip Technology
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 200 NA @ 225 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 1 V @ 400 MA
VS-ETU2006S2LHM3 · 전자 부품
- 제조사
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 5 µA @ 600 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 1.7 V @ 20 A
VS-25ETS08STRR-M3 · 전자 부품
- 제조사
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 100 µA @ 800 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 1.14 V @ 25 A
JAN1N4148UR-1/TR · 전자 부품
- 제조사
- Microchip Technology
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 25 NA @ 20 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 800 MV @ 10 MA
