S5JHE3_A/I · 전자 부품
- 제조사
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 10 µA @ 600 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 1.15 V @ 5 A
전자 부품
VS-MBRD330TR-M3 · 전자 부품
- 제조사
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 200 µA @ 20 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 600 MV @ 3 A
DSC06A065FP · 전자 부품
- 제조사
- Diodes Incorporated
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 200 µA @ 650 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 1.5 V @ 6 A
CMUSH05-4 · 전자 부품
- 제조사
- Central Semiconductor Corp
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 20 µA @ 10 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 470 MV @ 500 MA
VS-MBRD340TRR-M3 · 전자 부품
- 제조사
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 200 µA @ 20 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 600 MV @ 3 A
IDW40E65D1FKSA1 · 전자 부품
- 제조사
- Infineon Technologies
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 40 µA @ 650 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 1.7 V @ 40 A
VS-3EJH02HM3/6B · 전자 부품
- 제조사
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 2 µA @ 200 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 930 MV @ 3 A
VS-MBRD320TRR-M3 · 전자 부품
- 제조사
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 200 µA @ 20 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 600 MV @ 3 A
