전자 부품
VS-20ETF10STRR-M3 · 전자 부품
- 제조사
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 100 µA @ 1000 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 1.31 V @ 20 A
VS-20ETF12STRL-M3 · 전자 부품
- 제조사
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 100 µA @ 1200 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 1.31 V @ 20 A
1N646/TR · 전자 부품
- 제조사
- Microchip Technology
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 200 NA @ 300 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 1 V @ 400 MA
1N647-1/TR · 전자 부품
- 제조사
- Microchip Technology
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 50 NA @ 400 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 1 V @ 400 MA
WNSC08650T6J · 전자 부품
- 제조사
- WeEn Semiconductors
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 50 µA @ 650 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 1.7 V @ 8 A
VS-20ETF08STRR-M3 · 전자 부품
- 제조사
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 100 µA @ 800 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 1.31 V @ 20 A
VS-20ETF10S-M3 · 전자 부품
- 제조사
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 100 µA @ 1000 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 1.31 V @ 20 A
SICU02120B-TP · 전자 부품
- 제조사
- Micro Commercial Co
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 10 µA @ 1200 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 1.7 V @ 2 A
WNSC6D08650Q · 전자 부품
- 제조사
- WeEn Semiconductors
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 50 µA @ 650 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 1.4 V @ 8 A
VS-8EWS16STRL-M3 · 전자 부품
- 제조사
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 50 µA @ 1600 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 1.1 V @ 8 A
DSEP15-06BS-TRL · 전자 부품
- 제조사
- IXYS
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 100 µA @ 600 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 2.54 V @ 15 A
VS-8EWS16STRR-M3 · 전자 부품
- 제조사
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 50 µA @ 1600 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 1.1 V @ 8 A
VS-20ETF06S-M3 · 전자 부품
- 제조사
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 100 µA @ 600 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 1.3 V @ 20 A