VS-20ATS12-M3 · 전자 부품
- 제조사
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 100 µA @ 1200 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 1.1 V @ 20 A
전자 부품
TST30U45C · 전자 부품
- 제조사
- Taiwan Semiconductor Corporation
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 500 µA @ 45 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 540 MV @ 15 A
SL04-M3-18 · 전자 부품
- 제조사
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 20 µA @ 40 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 540 MV @ 1.1 A
WNSC10650T6J · 전자 부품
- 제조사
- WeEn Semiconductors
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 60 µA @ 650 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 1.7 V @ 10 A
STPSC6H12B-TR1 · 전자 부품
- 제조사
- STMicroelectronics
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 400 µA @ 1200 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 1.9 V @ 6 A
VS-ETH1506SHM3 · 전자 부품
- 제조사
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 15 µA @ 600 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 2.45 V @ 15 A
TST30U60C · 전자 부품
- 제조사
- Taiwan Semiconductor Corporation
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 500 µA @ 60 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 570 MV @ 15 A
VS-C4PH3006LHN3 · 전자 부품
- 제조사
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 15 µA @ 600 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 1.9 V @ 15 A
1N4444 · 전자 부품
- 제조사
- Microchip Technology
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 50 NA @ 50 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 1 V @ 100 MA
SICAC0860P-TP · 전자 부품
- 제조사
- Micro Commercial Co
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 36 µA @ 650 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 1.6 V @ 8 A
VS-C4PH6006LHN3 · 전자 부품
- 제조사
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 50 µA @ 600 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 2 V @ 30 A
VS-30ETS12S2LHM3 · 전자 부품
- 제조사
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 100 µA @ 1200 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 1.2 V @ 30 A