BYT56G-TAP · 전자 부품
- 제조사
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 5 µA @ 400 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 1.4 V @ 3 A
전자 부품
SX32_R1_00001 · 전자 부품
- 제조사
- Panjit International Inc.
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 200 µA @ 20 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 500 MV @ 3 A
MBR660_T0_00001 · 전자 부품
- 제조사
- Panjit International Inc.
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 50 µA @ 60 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 750 MV @ 6 A
SBR80520LT3G · 전자 부품
- 제조사
- Onsemi
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 250 µA @ 20 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 385 MV @ 500 MA
ES1J_R1_00001 · 전자 부품
- 제조사
- Panjit International Inc.
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 1 µA @ 600 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 1.7 V @ 1 A
MBR120AFC_R1_00001 · 전자 부품
- 제조사
- Panjit International Inc.
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 50 µA @ 200 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 900 MV @ 1 A
V12P22HM3/I · 전자 부품
- 제조사
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 300 µA @ 200 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 900 MV @ 12 A