SK12H45 · 전자 부품
- 제조사
- Taiwan Semiconductor Corporation
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 120 µA @ 45 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 550 MV @ 12 A
전자 부품
ES3D-13-F · 전자 부품
- 제조사
- Diodes Incorporated
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 10 µA @ 200 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 900 MV @ 3 A
MBR315AFC_R1_00001 · 전자 부품
- 제조사
- Panjit International Inc.
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 50 µA @ 150 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 900 MV @ 3 A
VS-MBRS340-M3/9AT · 전자 부품
- 제조사
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 2 MA @ 40 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 525 MV @ 3 A
VT2080S-E3/4W · 전자 부품
- 제조사
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 700 µA @ 80 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 920 MV @ 20 A
BAS3010S02LRHE6327XTSA1 · 전자 부품
- 제조사
- Infineon Technologies
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 300 µA @ 30 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 650 MV @ 1 A
BYW85TR · 전자 부품
- 제조사
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 1 µA @ 800 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 1 V @ 3 A
MB510-AU_R1_000A2 · 전자 부품
- 제조사
- Panjit International Inc.
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 50 µA @ 100 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 800 MV @ 5 A