전자 부품
US1GHE3_A/H · 전자 부품
- 제조사
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 10 µA @ 400 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 1 V @ 1 A
VS-150U120D · 전자 부품
- 제조사
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- 동작 접합 온도
- -40°C ~ 180°C
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 1.47 V @ 600 A
RBR1LAM40ATR · 전자 부품
- 제조사
- Rohm Semiconductor
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 50 µA @ 40 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 520 MV @ 1 A
1N5614US · 전자 부품
- 제조사
- Microchip Technology
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 500 NA @ 200 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 1.3 V @ 3 A
VSS8D2M15HM3/I · 전자 부품
- 제조사
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 150 µA @ 150 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 700 MV @ 1 A
RB161M-20TR · 전자 부품
- 제조사
- Rohm Semiconductor
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 700 µA @ 20 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 350 MV @ 1 A
IDH08G65C6XKSA1 · 전자 부품
- 제조사
- Infineon Technologies
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 27 µA @ 420 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 1.35 V @ 8 A
STTH12R06FP · 전자 부품
- 제조사
- STMicroelectronics
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 45 µA @ 600 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 2.9 V @ 12 A