전자 부품
VS-HFA06PB120-N3 · 전자 부품
- 제조사
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 5 µA @ 1200 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 3 V @ 6 A
SE20DTG-M3/I · 전자 부품
- 제조사
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 25 µA @ 400 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 1.2 V @ 20 A
VS-40EPS16-M3 · 전자 부품
- 제조사
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 100 µA @ 1600 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 1.14 V @ 40 A
RF505BM6STL · 전자 부품
- 제조사
- Rohm Semiconductor
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 10 µA @ 600 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 1.7 V @ 5 A
VS-30APF10-M3 · 전자 부품
- 제조사
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 100 µA @ 1000 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 1.41 V @ 30 A
STPS8H100G · 전자 부품
- 제조사
- STMicroelectronics
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 4.5 µA @ 100 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 710 MV @ 8 A
VS-45EPF06LHM3 · 전자 부품
- 제조사
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 100 µA @ 600 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 1.31 V @ 45 A
HS5B · 전자 부품
- 제조사
- Taiwan Semiconductor Corporation
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 10 µA @ 100 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 1 V @ 5 A
