본문으로 이동

전자 부품

홈 > 전자 부품

LT1014DMDWREP · 전자 부품

제조사: Texas Instruments
증폭기 유형: 범용
슬루율: 0.4 V/µs

MCP6421T-E/LTY · 전자 부품

제조사: Microchip Technology
증폭기 유형: 범용
슬루율: 0.05 V/µs

1N4246 · 전자 부품

제조사: NTE Electronics, Inc
Vr 조건의 역방향 누설 전류: 1 µA @ 400 V
If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf): 1.2 V @ 1 A

THS4509RGTR · 전자 부품

제조사: Texas Instruments
증폭기 유형: 차동
슬루율: 6600 V/µs

LMV358IYPT · 전자 부품

제조사: STMicroelectronics
증폭기 유형: 범용
슬루율: 0.45 V/µs

TLC1079IN · 전자 부품

제조사: Texas Instruments
증폭기 유형: 범용
슬루율: 0.047 V/µs

LM258YPT · 전자 부품

제조사: STMicroelectronics
증폭기 유형: 범용
슬루율: 0.6 V/µs

EGP30J · 전자 부품

제조사: Onsemi
Vr 조건의 역방향 누설 전류: 5 µA @ 600 V
If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf): 1.7 V @ 3 A

THS4042CDGNR · 전자 부품

제조사: Texas Instruments
증폭기 유형: 전압 피드백
슬루율: 400 V/µs

TLV8542RUGR · 전자 부품

제조사: Texas Instruments
증폭기 유형: CMOS
슬루율: 0.0045 V/µs

THS3215IRGVT · 전자 부품

제조사: Texas Instruments
증폭기 유형: 차동
슬루율: 3000 V/µs

THS4042IDGNR · 전자 부품

제조사: Texas Instruments
증폭기 유형: 전압 피드백
슬루율: 400 V/µs

BYW83TAP · 전자 부품

제조사: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Vr 조건의 역방향 누설 전류: 1 µA @ 400 V
If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf): 1 V @ 3 A

AS358BGTR-G1 · 전자 부품

제조사: Diodes Incorporated
증폭기 유형: 범용
입력 오프셋 전압: 2mV

LMH6502MT/NOPB · 전자 부품

제조사: Texas Instruments
슬루율: 1800 V/µs
회로 수: 1

LM301ADR2G · 전자 부품

제조사: Onsemi
증폭기 유형: 범용
슬루율: 0.5 V/µs

INA114AU/1K · 전자 부품

제조사: Texas Instruments
슬루율: 0.6 V/µs
입력 오프셋 전압: 25µV

TL084CNSR · 전자 부품

제조사: Texas Instruments
증폭기 유형: J-FET
슬루율: 13 V/µs