제품
IRF3710PBF
IRF3710PBF · ROHM / UTC · 집적 회로
제품 정보
- 부품 번호:
- IRF3710PBF
- 동작 온도:
- -55°C ~ 175°C (TJ)
- 상호 참조:
- NEW
견적 요청
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견적 요청기술 사양
동일 모델 · 일관된 매개변수
전기적 특성
| 매개변수 | 값 |
|---|---|
| 동작 온도 | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| 상호 참조 | NEW |
| 최대 전력 | 40W |
| FET 유형 | N채널 |
패키지 및 기계 사양
| 매개변수 | 값 |
|---|---|
| 실장 방식 | 스루홀 실장 |
| 패키지 / 케이스 | –-220-3 |
일치하는 매개변수가 없습니다
해당 모델의 매개변수입니다. 패키지와 시험 조건은 제조사 데이터시트를 확인하세요.
원본 항목 · 영어 · 17
일부 원본 항목은 번역 대기 중이며 아래에 영어로 별도 표시됩니다.
| Type | Ic Chip, Field-Effect Transistor, IGBT Transistor |
|---|---|
| Package Type | Throught Hole |
| Application | Irf Transistor |
| Brand | MOSFET N-CH 100V 57A TO-220AB |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 1.5A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 400V |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 1.5V @ 500mA, 1.5A |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 1mA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 5 @ 1A, 2V |
| Drain To Source Voltage (Vdss) | 100V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 57A (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 23mOhm @ 28A, 10V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 130nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 3130pF @ 25V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Transistor Type | Mrf150 Rf Power Transistor |
제품 개요
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