HK LIANYIXIN INDUSTRIAL CO., LIMITED
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제품

IRFB4227PBF

IRFB4227PBF · ROHM / UTC · 집적 회로

제품 정보

부품 번호:
IRFB4227PBF
동작 온도:
-, -55°C ~ 150°C (TJ)
FET 유형:
-, N채널

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제품 식별 정보

매개변수값
설명트랜지스터
부품 번호IRFB4227PBF

전기적 특성

매개변수값
동작 온도-, -55°C ~ 150°C (TJ)
FET 유형-, N채널

패키지 및 기계 사양

매개변수값
실장 방식-, 표면 실장, 스루홀 실장
패키지 / 케이스-, –-252-3
제조사 지정 패키지–-220AB

해당 모델의 매개변수입니다. 패키지와 시험 조건은 제조사 데이터시트를 확인하세요.

원본 항목 · 영어 · 12

일부 원본 항목은 번역 대기 중이며 아래에 영어로 별도 표시됩니다.

TypePentode Transistor, Ic Chips
Package TypeThrought Hole
ApplicationElectronic
Drain To Source Voltage (Vdss)-, 700V, 200V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C-, 8.5A (Tc), 65A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs-, 600mOhm @ 1.8A, 10V, 24 MOhm @ 46A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id-, 5V @ 250uA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs-, 10.5nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds-, 364pF @ 400V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Transistor TypeMrf150 Rf Power Transistor
TechnologyMOSFET (Metal Oxide)

제품 개요

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