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ONET8551TYS9 · 전자 부품

제조사: Texas Instruments
소비 전류: 28 MA
최소 동작 온도: - 40 C

ZHL-3A+ · 전자 부품

제조사: Mini-Circuits
일반 잡음 지수 (dB): 11
일반 입력 VSWR (:1): 2

BYP35K4 · 전자 부품

제조사: Diotec Semiconductor
Vr 조건의 역방향 누설 전류: 100 µA @ 400 V
If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf): 1.1 V @ 35 A

ONET8531TYS9 · 전자 부품

제조사: Texas Instruments
소비 전류: 28 MA
최소 동작 온도: - 40 C

ZHL-4W-422X+ · 전자 부품

제조사: Mini-Circuits
일반 잡음 지수 (dB): 10
일반 입력 VSWR (:1): 1.6

1N4150 · 전자 부품

제조사: Diotec Semiconductor
Vr 조건의 역방향 누설 전류: 100 NA @ 50 V
If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf): 1.2 V @ 200 MA

MAX3728ACTE+T · 전자 부품

제조사: Maxim Integrated
포장: 릴

LM158J/883 · 전자 부품

제조사: Texas Instruments
증폭기 유형: 범용
슬루율: 0.5 V/µs

ZHL-5W-2GX+ · 전자 부품

제조사: Mini-Circuits
일반 잡음 지수 (dB): 8
일반 입력 VSWR (:1): 1.7

GN1554S-CHIP · 전자 부품

제조사: Semtech

BY880-200 · 전자 부품

제조사: Diotec Semiconductor
Vr 조건의 역방향 누설 전류: 5 µA @ 200 V
If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf): 1.1 V @ 8 A

ZHL-5W-422+ · 전자 부품

제조사: Mini-Circuits
일반 잡음 지수 (dB): 7
일반 입력 VSWR (:1): 1.7

TLV4172IDR · 전자 부품

제조사: Texas Instruments
증폭기 유형: 범용
슬루율: 10 V/µs

ONET8551TY · 전자 부품

제조사: Texas Instruments
소비 전류: 28 MA
최소 동작 온도: - 40 C

UF600D · 전자 부품

제조사: Diotec Semiconductor
Vr 조건의 역방향 누설 전류: 10 µA @ 200 V
If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf): 1 V @ 5 A

ZHL-10W-2G+ · 전자 부품

제조사: Mini-Circuits
일반 잡음 지수 (dB): 7
일반 입력 VSWR (:1): 1.3

MCP6H82T-E/MNY · 전자 부품

제조사: Microchip Technology
셧다운: 셧다운 기능 없음
포장: 릴

BY880-50 · 전자 부품

제조사: Diotec Semiconductor
Vr 조건의 역방향 누설 전류: 5 µA @ 50 V
If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf): 1.1 V @ 8 A