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GD15MPS17H · 전자 부품

제조사: GeneSiC Semiconductor
Vr 조건의 역방향 누설 전류: 20 µA @ 1700 V
If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf): 1.8 V @ 15 A

MAX4314ESD+ · 전자 부품

제조사: Maxim Integrated
단일/양전원 전압 (±): 4 V ~ 10.5 V, ±2 V ~ 5.25 V
슬루율: 430 V/µs

LM358AMX/NOPB · 전자 부품

제조사: Texas Instruments
증폭기 유형: 범용
슬루율: 0.1 V/µs

GP3D005A170B · 전자 부품

제조사: SemiQ
Vr 조건의 역방향 누설 전류: 20 µA @ 1700 V
If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf): 1.65 V @ 5 A

AD811ARZ-16 · 전자 부품

제조사: ADI / Analog Devices Inc.
단일/양전원 전압 (±): ±4.5 V ~ 18 V
슬루율: 2500 V/µs

OPA380AID · 전자 부품

제조사: Texas Instruments
슬루율: 80 V/µs
입력 오프셋 전압: 4µV

AD8644ARZ · 전자 부품

제조사: Analog Devices
소비 전류: 0.8 MA
입력 바이어스 전류: 500 NA

GD60MPS06H · 전자 부품

제조사: GeneSiC Semiconductor
Vr 조건의 역방향 누설 전류: 10 µA @ 650 V
If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf): 1.8 V @ 60 A

· 전자 부품

제조사: Linear Technology/Analog Devices
단일/양전원 전압 (±): 5 V ~ 30 V, ±2.5 V ~ 15 V
슬루율: 300 V/µs

LMV321M5X/NOPB · 전자 부품

제조사: Texas Instruments
증폭기 유형: 범용
슬루율: 1 V/µs

OP213FSZ-REEL7 · 전자 부품

제조사: Analog Devices
소비 전류: 2.7 MA
최소 동작 온도: - 40 C

GD20MPS12H · 전자 부품

제조사: GeneSiC Semiconductor
Vr 조건의 역방향 누설 전류: 10 µA @ 1200 V
If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf): 1.8 V @ 20 A

NE592D8G · 전자 부품

제조사: Onsemi
단일/양전원 전압 (±): ±3 V ~ 8 V
회로 수: 1

AD8475ACPZ-WP · 전자 부품

제조사: ADI / Analog Devices Inc.
증폭기 유형: 차동
슬루율: 50 V/µs

GP3D020A065B · 전자 부품

제조사: SemiQ
Vr 조건의 역방향 누설 전류: 50 µA @ 650 V
If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf): 1.7 V @ 20 A

· 전자 부품

제조사: Linear Technology/Analog Devices
단일/양전원 전압 (±): 4 V ~ 28 V, ±2 V ~ 14 V
슬루율: 125 V/µs

TL061ACDR · 전자 부품

제조사: Texas Instruments
증폭기 유형: J-FET
슬루율: 3.5 V/µs

FR85G02 · 전자 부품

제조사: GeneSiC Semiconductor
Vr 조건의 역방향 누설 전류: 25 µA @ 100 V
If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf): 1.4 V @ 85 A