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V20PW15HM3/I · 전자 부품

제조사: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Vr 조건의 역방향 누설 전류: 250 µA @ 150 V
If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf): 1.47 V @ 20 A

AD829ARZ-REEL · 전자 부품

제조사: ADI / Analog Devices Inc.
단일/양전원 전압 (±): ±4.5 V ~ 18 V
슬루율: 230 V/µs

· 전자 부품

제조사: Microchip Technology
Vr 조건의 역방향 누설 전류: 1.5 MA @ 30 V
If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf): 480 MV @ 3 A

· 전자 부품

제조사: Linear Technology/Analog Devices
단일/양전원 전압 (±): 3 V ~ 7.5 V, ±2.5 V ~ 3.3 V
슬루율: 2200 V/µs

AMP02FSZ-RL · 전자 부품

제조사: ADI / Analog Devices Inc.
슬루율: 6 V/µs
입력 오프셋 전압: 40µV

VS-8EWX06FNTRR-M3 · 전자 부품

제조사: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Vr 조건의 역방향 누설 전류: 50 µA @ 600 V
If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf): 3 V @ 8 A

· 전자 부품

제조사: Linear Technology/Analog Devices
단일/양전원 전압 (±): 4.75 V ~ 16 V, ±2.38 V ~ 8 V
슬루율: 220 V/µs

VS-50WQ03FNHM3 · 전자 부품

제조사: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Vr 조건의 역방향 누설 전류: 3 MA @ 30 V
If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf): 460 MV @ 5 A

· 전자 부품

제조사: Linear Technology/Analog Devices
단일/양전원 전압 (±): 3 V ~ 7.5 V, ±2.5 V ~ 3.3 V
슬루율: 2200 V/µs

VS-8EWS10STRR-M3 · 전자 부품

제조사: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Vr 조건의 역방향 누설 전류: 50 µA @ 1000 V
If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf): 1.1 V @ 8 A

· 전자 부품

제조사: Linear Technology/Analog Devices
증폭기 유형: J-FET
슬루율: 4.2 V/µs

MAX452CSA+T · 전자 부품

제조사: Maxim Integrated
단일/양전원 전압 (±): ±4.5 V ~ 5.5 V
슬루율: 300 V/µs

BYT77-TR · 전자 부품

제조사: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Vr 조건의 역방향 누설 전류: 5 µA @ 800 V
If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf): 1.2 V @ 3 A

· 전자 부품

제조사: Linear Technology/Analog Devices
단일/양전원 전압 (±): 4.75 V ~ 16 V, ±2.38 V ~ 8 V
슬루율: 500 V/µs

TLE2141IP · 전자 부품

제조사: Texas Instruments
소비 전류: 3.5 MA
입력 바이어스 전류: 1.5 UA

VS-8EWX06FNTRL-M3 · 전자 부품

제조사: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Vr 조건의 역방향 누설 전류: 50 µA @ 600 V
If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf): 3 V @ 8 A

OPA129U · 전자 부품

제조사: Texas Instruments
증폭기 유형: 범용
슬루율: 2.5 V/µs

MAX4314ESD+T · 전자 부품

제조사: Maxim Integrated
단일/양전원 전압 (±): 4 V ~ 10.5 V, ±2 V ~ 5.25 V
슬루율: 430 V/µs