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BH76909GU-E2 · 전자 부품

제조사: ROHM Semiconductor
단일/양전원 전압 (±): 2.5 V ~ 3.45 V, ±1.25 V ~ 1.725 V
회로 수: 1

· 전자 부품

제조사: Linear Technology/Analog Devices
증폭기 유형: 제로 드리프트
슬루율: 0.5 V/µs

SB540A-E3/73 · 전자 부품

제조사: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Vr 조건의 역방향 누설 전류: 500 µA @ 40 V
If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf): 500 MV @ 5 A

MAX4392EUA+T · 전자 부품

제조사: Maxim Integrated
단일/양전원 전압 (±): 4.5 V ~ 11 V, ±2.25 V ~ 5.5 V
슬루율: 500 V/µs

TLC2262AID · 전자 부품

제조사: Texas Instruments
소비 전류: 200 UA
입력 바이어스 전류: 60 PA

MBR6100_T0_00001 · 전자 부품

제조사: Panjit International Inc.
Vr 조건의 역방향 누설 전류: 50 µA @ 100 V
If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf): 800 MV @ 6 A

· 전자 부품

제조사: Linear Technology/Analog Devices
단일/양전원 전압 (±): 4 V ~ 12 V, ±2 V ~ 6 V
슬루율: 800 V/µs

· 전자 부품

제조사: Linear Technology/Analog Devices
증폭기 유형: 범용
슬루율: 250 V/µs

MBR6150_T0_00001 · 전자 부품

제조사: Panjit International Inc.
Vr 조건의 역방향 누설 전류: 50 µA @ 150 V
If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf): 900 MV @ 6 A

· 전자 부품

제조사: Linear Technology/Analog Devices
단일/양전원 전압 (±): 2.7 V ~ 12.6 V, ±1.35 V ~ 6.3 V
슬루율: 600 V/µs

NSB8BT-E3/45 · 전자 부품

제조사: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Vr 조건의 역방향 누설 전류: 10 µA @ 100 V
If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf): 1.1 V @ 8 A

ADA4853-3YRUZ-RL · 전자 부품

제조사: ADI / Analog Devices Inc.
단일/양전원 전압 (±): 2.65 V ~ 5 V
슬루율: 120 V/µs

NRVTS10120EMFST1G · 전자 부품

제조사: Onsemi
Vr 조건의 역방향 누설 전류: 30 µA @ 120 V
If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf): 820 MV @ 10 A

ADA4853-3YRUZ-R7 · 전자 부품

제조사: ADI / Analog Devices Inc.
단일/양전원 전압 (±): 2.65 V ~ 5 V
슬루율: 120 V/µs

OP27EPZ · 전자 부품

제조사: ADI / Analog Devices Inc.
증폭기 유형: 범용
슬루율: 2.8 V/µs

MURS360HM3_A/H · 전자 부품

제조사: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Vr 조건의 역방향 누설 전류: 10 µA @ 600 V
If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf): 1.28 V @ 3 A

· 전자 부품

제조사: Linear Technology/Analog Devices
단일/양전원 전압 (±): 3 V ~ 12.6 V, ±1.5 V ~ 6.3 V
슬루율: 600 V/µs

BYT56D-TR · 전자 부품

제조사: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Vr 조건의 역방향 누설 전류: 5 µA @ 200 V
If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf): 1.4 V @ 3 A