제품
VS-MBRB1045TRR-M3 · 전자 부품
- 제조사
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 100 µA @ 45 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 570 MV @ 10 A
SE20DBHM3/I · 전자 부품
- 제조사
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 25 µA @ 100 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 1.2 V @ 20 A
SS24 · 전자 부품
- 제조사
- Taiwan Semiconductor Corporation
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 400 µA @ 40 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 500 MV @ 2 A
VS-MBRB1035-M3 · 전자 부품
- 제조사
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 100 µA @ 35 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 570 MV @ 10 A
V20120SG-M3/4W · 전자 부품
- 제조사
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 250 µA @ 120 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 1.33 V @ 20 A
VI20150SG-M3/4W · 전자 부품
- 제조사
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 200 µA @ 150 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 1.6 V @ 20 A
1N5407GP-E3/54 · 전자 부품
- 제조사
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 5 µA @ 400 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 1.2 V @ 3 A