제품
NSB8KT-E3/81 · 전자 부품
- 제조사
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 10 µA @ 800 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 1.1 V @ 8 A
VS-15EWL06FNTRR-M3 · 전자 부품
- 제조사
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 10 µA @ 600 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 1.05 V @ 15 A
VS-15ETH06STRL-M3 · 전자 부품
- 제조사
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 50 µA @ 600 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 2.2 V @ 15 A
VS-15AWL06FNTRL-M3 · 전자 부품
- 제조사
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 10 µA @ 600 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 1.05 V @ 15 A
LXA06B600 · 전자 부품
- 제조사
- Power Integrations
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 250 µA @ 600 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 2.94 V @ 6 A
VS-15ETX06STRR-M3 · 전자 부품
- 제조사
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 50 µA @ 600 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 3.2 V @ 15 A
VBT1080S-M3/8W · 전자 부품
- 제조사
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 600 µA @ 80 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 810 MV @ 10 A
NSB8BT-E3/81 · 전자 부품
- 제조사
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 10 µA @ 100 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 1.1 V @ 8 A