제품
VI20120S-E3/4W · 전자 부품
- 제조사
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 300 µA @ 120 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 1.12 V @ 20 A
VS-6TQ035HN3 · 전자 부품
- 제조사
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 800 µA @ 35 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 600 MV @ 6 A
VB20120S-E3/4W · 전자 부품
- 제조사
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 300 µA @ 120 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 1.12 V @ 20 A
ES2FA · 전자 부품
- 제조사
- Taiwan Semiconductor Corporation
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 10 µA @ 300 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 1.3 V @ 2 A
BYWB29-100-E3/45 · 전자 부품
- 제조사
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 10 µA @ 100 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 1.3 V @ 20 A
MBR3045_T0_00001 · 전자 부품
- 제조사
- Panjit International Inc.
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 100 µA @ 45 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 700 MV @ 30 A
V7NM153HM3/H · 전자 부품
- 제조사
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 70 µA @ 150 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 980 MV @ 7 A
VS-12TQ045STRL-M3 · 전자 부품
- 제조사
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 1.75 MA @ 45 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 560 MV @ 15 A
