BYWB29-200-E3/45 · 전자 부품
- 제조사
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 10 µA @ 200 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 1.3 V @ 20 A
제품
VS-12TQ040STRR-M3 · 전자 부품
- 제조사
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 1.75 MA @ 40 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 560 MV @ 15 A
VS-20TQ035-M3 · 전자 부품
- 제조사
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 2.7 MA @ 35 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 730 MV @ 40 A
BYWB29-50-E3/45 · 전자 부품
- 제조사
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 10 µA @ 50 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 1.3 V @ 20 A
MBRB1090-E3/4W · 전자 부품
- 제조사
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 100 µA @ 90 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 800 MV @ 10 A
VS-20TQ040-M3 · 전자 부품
- 제조사
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 2.7 MA @ 40 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 730 MV @ 40 A
MBRB1090-E3/8W · 전자 부품
- 제조사
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 100 µA @ 90 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 800 MV @ 10 A
V30DM120-M3/I · 전자 부품
- 제조사
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 1 MA @ 120 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 1.06 V @ 30 A
AR4PKHM3_A/I · 전자 부품
- 제조사
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 10 µA @ 800 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 1.9 V @ 4 A
BYC15X-600 · 전자 부품
- 제조사
- WeEn Semiconductors
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 200 µA @ 600 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 2.9 V @ 15 A