NSB8MTHE3_B/I · 전자 부품
- 제조사
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 10 µA @ 1000 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 1.1 V @ 8 A
제품
NSB8GTHE3_B/I · 전자 부품
- 제조사
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 10 µA @ 400 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 1.1 V @ 8 A
MBRS1645H · 전자 부품
- 제조사
- Taiwan Semiconductor Corporation
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 500 µA @ 45 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 630 MV @ 16 A
NSB8DTHE3_B/I · 전자 부품
- 제조사
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 10 µA @ 200 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 1.1 V @ 8 A
VIT3080S-E3/4W · 전자 부품
- 제조사
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 1 MA @ 80 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 950 MV @ 30 A
NSB8DTHE3_B/P · 전자 부품
- 제조사
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 10 µA @ 200 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 1.1 V @ 8 A
TSPB15U45S · 전자 부품
- 제조사
- Taiwan Semiconductor Corporation
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 300 µA @ 45 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 560 MV @ 15 A
MBRS16100H · 전자 부품
- 제조사
- Taiwan Semiconductor Corporation
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 300 µA @ 100 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 850 MV @ 16 A
