FESB8HT-E3/81 · 전자 부품
- 제조사
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 10 µA @ 500 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 1.5 V @ 8 A
제품
FESB8GT-E3/81 · 전자 부품
- 제조사
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 10 µA @ 400 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 1.3 V @ 8 A
SICU0260B-TP · 전자 부품
- 제조사
- Micro Commercial Co
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 10 µA @ 650 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 1.6 V @ 2 A
SFS1605G · 전자 부품
- 제조사
- Taiwan Semiconductor Corporation
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 10 µA @ 300 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 1.3 V @ 8 A
VS-20TQ040S-M3 · 전자 부품
- 제조사
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 2.7 MA @ 40 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 570 MV @ 20 A
VB30100SG-M3/4W · 전자 부품
- 제조사
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 350 µA @ 100 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 1 V @ 30 A
VB30100SG-M3/8W · 전자 부품
- 제조사
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 350 µA @ 100 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 1 V @ 30 A
VS-8ETU04SHM3 · 전자 부품
- 제조사
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 10 µA @ 400 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 1.3 V @ 8 A
ES2HA · 전자 부품
- 제조사
- Taiwan Semiconductor Corporation
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 10 µA @ 500 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 1.7 V @ 2 A
VB20150S-M3/4W · 전자 부품
- 제조사
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 250 µA @ 150 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 1.43 V @ 20 A