FESB16AT-E3/45 · 전자 부품
- 제조사
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 10 µA @ 50 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 975 MV @ 16 A
제품
VS-ETU0805-M3 · 전자 부품
- 제조사
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 9 µA @ 500 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 1.25 V @ 8 A
VS-HFA04SD60SR-M3 · 전자 부품
- 제조사
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 3 µA @ 600 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 1.8 V @ 4 A
FESB16BT-E3/45 · 전자 부품
- 제조사
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 10 µA @ 100 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 975 MV @ 16 A
VB30120SG-E3/8W · 전자 부품
- 제조사
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 500 µA @ 120 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 1.28 V @ 30 A
FESF8FTHE3_A/P · 전자 부품
- 제조사
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 10 µA @ 300 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 1.3 V @ 8 A
1N4151 · 전자 부품
- 제조사
- Microchip Technology
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 50 NA @ 50 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 1 V @ 50 MA
VF30120SG-E3/4W · 전자 부품
- 제조사
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 500 µA @ 120 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 1.28 V @ 30 A
VS-MBRB1035HM3 · 전자 부품
- 제조사
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 100 µA @ 35 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 840 MV @ 20 A
VS-HFA04SD60SL-M3 · 전자 부품
- 제조사
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 3 µA @ 600 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 1.8 V @ 4 A
