VS-4ESH01-M3/87A · 전자 부품
- 제조사
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 2 µA @ 4 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 930 MV @ 4 A
제품
ER3J_R1_00001 · 전자 부품
- 제조사
- Panjit International Inc.
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 1 µA @ 600 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 1.7 V @ 3 A
SK54_R1_00001 · 전자 부품
- 제조사
- Panjit International Inc.
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 200 µA @ 40 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 550 MV @ 5 A
BAT54A-G3-08 · 전자 부품
- 제조사
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- 평균 정류 전류 (Io) / 다이오드
- 200mA (DC)
- 동작 접합 온도
- 125°C (Max)
S3J-M3/57T · 전자 부품
- 제조사
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 10 µA @ 600 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 1.15 V @ 2.5 A
STTH1R04UY · 전자 부품
- 제조사
- STMicroelectronics
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 5 µA @ 400 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 1.6 V @ 1 A
HN2S01FUTE85LF · 전자 부품
- 제조사
- Toshiba Semiconductor And Storage
- 평균 정류 전류 (Io) / 다이오드
- 100mA
- 동작 접합 온도
- 125°C (Max)
V7NM153HM3/I · 전자 부품
- 제조사
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 70 µA @ 150 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 980 MV @ 7 A
PMEG6030EP-QX · 전자 부품
- 제조사
- Nexperia USA Inc.
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 200 µA @ 60 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 530 MV @ 3 A
PMEG4030EP · 전자 부품
- 제조사
- Nexperia USA Inc.
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 200 µA @ 40 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 490 MV @ 3 A
CMS10I40A(TE12L · 전자 부품
- 제조사
- Toshiba Semiconductor And Storage
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 100 µA @ 40 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 450 MV @ 1 A