제품
SE80PWTG-M3/I · 전자 부품
- 제조사
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 15 µA @ 400 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 1.12 V @ 8 A
SD830YS_L2_00001 · 전자 부품
- 제조사
- Panjit International Inc.
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 200 µA @ 30 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 550 MV @ 8 A
RB058L-60TE25 · 전자 부품
- 제조사
- Rohm Semiconductor
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 4 µA @ 60 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 640 MV @ 3 A
SS34HE3_B/H · 전자 부품
- 제조사
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 500 µA @ 40 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 500 MV @ 3 A
V12PM63HM3/H · 전자 부품
- 제조사
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 30 µA @ 60 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 650 MV @ 12 A
V15PM63-M3/I · 전자 부품
- 제조사
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 35 µA @ 60 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 660 MV @ 15 A
V15PM153-M3/H · 전자 부품
- 제조사
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 150 µA @ 150 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 880 MV @ 15 MA
ED506S_L2_00001 · 전자 부품
- 제조사
- Panjit International Inc.
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 1 µA @ 600 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 1.7 V @ 5 A
CMS05(TE12L · 전자 부품
- 제조사
- Toshiba Semiconductor And Storage
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 800 µA @ 30 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 450 MV @ 5 A