VS-12CWQ10FNTRL-M3 · 전자 부품
- 제조사
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- 평균 정류 전류 (Io) / 다이오드
- 6A
- 동작 접합 온도
- 150°C (Max)
제품
VS-15ETH06S-M3 · 전자 부품
- 제조사
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 50 µA @ 600 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 2.2 V @ 15 A
BYR29X-800 · 전자 부품
- 제조사
- WeEn Semiconductors
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 10 µA @ 800 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 1.7 V @ 8 A
VS-10TQ035-M3 · 전자 부품
- 제조사
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 2 MA @ 35 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 670 MV @ 20 A
VS-10CSH01HM3/87A · 전자 부품
- 제조사
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- 평균 정류 전류 (Io) / 다이오드
- 5A
- 동작 접합 온도
- 175°C (Max)
VS-8TQ080-M3 · 전자 부품
- 제조사
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 550 µA @ 80 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 880 MV @ 16 A
VS-12TQ040-M3 · 전자 부품
- 제조사
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 1.75 MA @ 40 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 710 MV @ 30 A
BYC5X-600PQ · 전자 부품
- 제조사
- WeEn Semiconductors
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 10 µA @ 600 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 3.3 V @ 5 A
VS-8ETH06S-M3 · 전자 부품
- 제조사
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 50 µA @ 600 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 2.4 V @ 8 A
MER1002T_T0_00601 · 전자 부품
- 제조사
- Panjit International Inc.
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 1 µA @ 200 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 950 MV @ 10 A
VS-8DKH02HM3/H · 전자 부품
- 제조사
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- 평균 정류 전류 (Io) / 다이오드
- 4A
- 동작 접합 온도
- -55°C ~ 175°C
SE20DTLJHM3/I · 전자 부품
- 제조사
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 5 µA @ 600 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 1 V @ 20 A