제품
V1P6HM3/H · 전자 부품
- 제조사
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 150 µA @ 60 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 600 MV @ 1 A
HS1GAL · 전자 부품
- 제조사
- Taiwan Semiconductor Corporation
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 1 µA @ 400 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 1.3 V @ 1 A
RB531CM-30T2R · 전자 부품
- 제조사
- Rohm Semiconductor
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 7 µA @ 10 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 370 MV @ 10 MA
SD103AWS-E3-18 · 전자 부품
- 제조사
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 5 µA @ 30 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 600 MV @ 200 MA
VS-1EFH02-M3/I · 전자 부품
- 제조사
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 2 µA @ 200 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 930 MV @ 1 A
RS1BL · 전자 부품
- 제조사
- Taiwan Semiconductor Corporation
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 5 µA @ 100 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 1.3 V @ 800 MA
RB532HS-30T15R · 전자 부품
- 제조사
- Rohm Semiconductor
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 100 µA @ 30 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 500 MV @ 100 MA
SS14LWH · 전자 부품
- 제조사
- Taiwan Semiconductor Corporation
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 100 µA @ 40 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 550 MV @ 1 A
