MBR20H200CT · 전자 부품
- 제조사
- Taiwan Semiconductor Corporation
- 평균 정류 전류 (Io) / 다이오드
- 20A
- 동작 접합 온도
- -55°C ~ 175°C
제품
S4J · 전자 부품
- 제조사
- Taiwan Semiconductor Corporation
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 10 µA @ 600 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 1.15 V @ 4 A
V30KM60-M3/H · 전자 부품
- 제조사
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 650 µA @ 60 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 670 MV @ 30 A
VX40M100C-M3/P · 전자 부품
- 제조사
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- 평균 정류 전류 (Io) / 다이오드
- 20A
- 동작 접합 온도
- -40°C ~ 175°C
SS15P3S-M3/87A · 전자 부품
- 제조사
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 1 MA @ 30 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 570 MV @ 15 A
V20PWM15HM3/I · 전자 부품
- 제조사
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 250 µA @ 150 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 1.47 V @ 20 A
VS-STPS1045BTRR-M3 · 전자 부품
- 제조사
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 200 µA @ 45 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 630 MV @ 10 A
PMEG045V150EPE-QZ · 전자 부품
- 제조사
- Nexperia USA Inc.
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 600 µA @ 45 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 570 MV @ 15 A
SR504 · 전자 부품
- 제조사
- Taiwan Semiconductor Corporation
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 500 µA @ 40 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 550 MV @ 5 A
VF40150C-M3/4W · 전자 부품
- 제조사
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- 평균 정류 전류 (Io) / 다이오드
- 20A
- 동작 접합 온도
- -55°C ~ 150°C
RF305BM6SFHTL · 전자 부품
- 제조사
- Rohm Semiconductor
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 10 µA @ 600 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 1.7 V @ 3 A
RS3B · 전자 부품
- 제조사
- Taiwan Semiconductor Corporation
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 10 µA @ 100 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 1.3 V @ 3 A