VS-E5TH2112S2L-M3 · 전자 부품
- 제조사
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 50 µA @ 1200 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 2.66 V @ 20 A
제품
STPSC4H065B-TR · 전자 부품
- 제조사
- STMicroelectronics
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 40 µA @ 650 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 1.75 V @ 4 A
VS-VSKJ71/10 · 전자 부품
- 제조사
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- 평균 정류 전류 (Io) / 다이오드
- 40A
- 동작 접합 온도
- -40°C ~ 150°C
SE30DT12-M3/I · 전자 부품
- 제조사
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 10 µA @ 1200 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 1.29 V @ 30 A
FML-G13S · 전자 부품
- 제조사
- Sanken Electric USA Inc.
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 100 µA @ 300 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 1.3 V @ 5 A
VS-VS5HD240CW60 · 전자 부품
- 제조사
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- 평균 정류 전류 (Io) / 다이오드
- 229A (DC)
- 동작 접합 온도
- -40°C ~ 175°C
TSUP10M60SH · 전자 부품
- 제조사
- Taiwan Semiconductor Corporation
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 250 µA @ 60 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 640 MV @ 10 A
V20PW22HM3/I · 전자 부품
- 제조사
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 300 µA @ 200 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 960 MV @ 20 A
IDD05SG60CXTMA2 · 전자 부품
- 제조사
- Infineon Technologies
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 30 µA @ 600 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 2.3 V @ 5 A
RFNL10BGE6STL · 전자 부품
- 제조사
- Rohm Semiconductor
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 10 µA @ 600 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 1.3 V @ 10 A