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VS-MURD620CTHM3 · 전자 부품

제조사: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
평균 정류 전류 (Io) / 다이오드: 3A
동작 접합 온도: -65°C ~ 175°C

VS-MURD620CTTRL-M3 · 전자 부품

제조사: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
평균 정류 전류 (Io) / 다이오드: 3A
동작 접합 온도: -65°C ~ 175°C

FSV2060L · 전자 부품

제조사: Onsemi
Vr 조건의 역방향 누설 전류: 320 µA @ 60 V
If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf): 600 MV @ 20 A

MBR360G · 전자 부품

제조사: Onsemi
Vr 조건의 역방향 누설 전류: 600 µA @ 60 V
If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf): 740 MV @ 3 A

MBRD1035CTLT4G · 전자 부품

제조사: Onsemi
평균 정류 전류 (Io) / 다이오드: 10A
동작 접합 온도: -55°C ~ 150°C

STTH4R02SY · 전자 부품

제조사: STMicroelectronics
Vr 조건의 역방향 누설 전류: 3 µA @ 200 V
If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf): 1.05 V @ 4 A

BAT1804E6327HTSA1 · 전자 부품

제조사: Infineon Technologies
제조사 지정 패키지: PG-SOT23
패키지 / 케이스: 테이프 및 릴 (TR) 컷 테이프 (CT)

STTH4R02U · 전자 부품

제조사: STMicroelectronics
Vr 조건의 역방향 누설 전류: 3 µA @ 200 V
If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf): 1.05 V @ 4 A

MBRF20200CTG · 전자 부품

제조사: Onsemi
평균 정류 전류 (Io) / 다이오드: 10A
동작 접합 온도: -65°C ~ 150°C

MBRB20H100CT-E3/45 · 전자 부품

제조사: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
평균 정류 전류 (Io) / 다이오드: 10A
동작 접합 온도: -65°C ~ 150°C

80SQ045NRLG · 전자 부품

제조사: Onsemi
Vr 조건의 역방향 누설 전류: 1 MA @ 45 V
If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf): 550 MV @ 8 A

MBRD1045T4G · 전자 부품

제조사: Onsemi
Vr 조건의 역방향 누설 전류: 100 µA @ 45 V
If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf): 840 MV @ 20 A

STPS41H100CG · 전자 부품

제조사: STMicroelectronics
평균 정류 전류 (Io) / 다이오드: 20A
동작 접합 온도: 175°C (Max)

BAT6405WH6327XTSA1 · 전자 부품

제조사: Infineon Technologies
평균 정류 전류 (Io) / 다이오드: 250mA
동작 접합 온도: 150°C (Max)

SVT2060LB_R2_00001 · 전자 부품

제조사: Panjit International Inc.
Vr 조건의 역방향 누설 전류: 250 µA @ 60 V
If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf): 550 MV @ 20 A

VS-6CWQ06FNHM3 · 전자 부품

제조사: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
평균 정류 전류 (Io) / 다이오드: 3.5A
동작 접합 온도: -40°C ~ 150°C

PDS4200HQ-13 · 전자 부품

제조사: Diodes Incorporated
Vr 조건의 역방향 누설 전류: 1 µA @ 200 V
If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf): 840 MV @ 4 A

SB05W05C-TB-E · 전자 부품

제조사: Onsemi
평균 정류 전류 (Io) / 다이오드: 500mA
동작 접합 온도: -55°C ~ 125°C