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MBRA1H100T3G · 전자 부품

제조사: Onsemi
Vr 조건의 역방향 누설 전류: 40 µA @ 100 V
If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf): 760 MV @ 1 A

MBRF20150CT · 전자 부품

제조사: SMC Diode Solutions
동작 접합 온도: -55°C ~ 150°C
If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf): 900 MV @ 10 A

SBRS8340T3G · 전자 부품

제조사: Onsemi
Vr 조건의 역방향 누설 전류: 2 MA @ 40 V
If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf): 500 MV @ 3 A

NRVBS540T3G · 전자 부품

제조사: Onsemi
Vr 조건의 역방향 누설 전류: 300 µA @ 40 V
If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf): 500 MV @ 5 A

RB095BGE-30TL · 전자 부품

제조사: Rohm Semiconductor
평균 정류 전류 (Io) / 다이오드: 6A
동작 접합 온도: 150°C (Max)

MBR3100RLG · 전자 부품

제조사: Onsemi
Vr 조건의 역방향 누설 전류: 600 µA @ 100 V
If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf): 790 MV @ 3 A

RB085BM-90TL · 전자 부품

제조사: Rohm Semiconductor
평균 정류 전류 (Io) / 다이오드: 5A
동작 접합 온도: 150°C (Max)

VS-6ESU06-M3/86A · 전자 부품

제조사: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Vr 조건의 역방향 누설 전류: 5 µA @ 600 V
If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf): 1.3 V @ 6 A

RFN6BM2DFHTL · 전자 부품

제조사: Rohm Semiconductor
평균 정류 전류 (Io) / 다이오드: 6A
동작 접합 온도: 150°C (Max)

1N5822RLG · 전자 부품

제조사: Onsemi
Vr 조건의 역방향 누설 전류: 2 MA @ 40 V
If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf): 525 MV @ 3 A

HN2D03F(TE85L · 전자 부품

제조사: Toshiba Semiconductor And Storage
평균 정류 전류 (Io) / 다이오드: 100mA
동작 접합 온도: 150°C (Max)

UF5401-E3/73 · 전자 부품

제조사: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Vr 조건의 역방향 누설 전류: 10 µA @ 100 V
If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf): 1 V @ 3 A

SDT40A100CTFP · 전자 부품

제조사: Diodes Incorporated
평균 정류 전류 (Io) / 다이오드: 20A
동작 접합 온도: -55°C ~ 150°C

SBR15A30SP5-13 · 전자 부품

제조사: Diodes Incorporated
Vr 조건의 역방향 누설 전류: 100 µA @ 30 V
If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf): 590 MV @ 15 A

BAT54SQ-7-F · 전자 부품

제조사: Diodes Incorporated
평균 정류 전류 (Io) / 다이오드: 200mA (DC)
If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf): 800 MV @ 100 MA

RB060LAM-40TFTR · 전자 부품

제조사: Rohm Semiconductor
Vr 조건의 역방향 누설 전류: 100 µA @ 40 V
동작 접합 온도: 150°C (Max)

MBRB20200CT · 전자 부품

제조사: Diodes Incorporated
평균 정류 전류 (Io) / 다이오드: 10A
동작 접합 온도: -55°C ~ 175°C

STTH2L06UFY · 전자 부품

제조사: STMicroelectronics
Vr 조건의 역방향 누설 전류: 2 µA @ 600 V
If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf): 1.4 V @ 2 A