MMBD3004SE · 전자 부품
- 제조사
- Taiwan Semiconductor Corporation
- 평균 정류 전류 (Io) / 다이오드
- 225mA
- 동작 접합 온도
- -65°C ~ 150°C
제품
SS24SHE3_B/I · 전자 부품
- 제조사
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 200 µA @ 40 V
- 동작 접합 온도
- -55°C ~ 150°C
APT100S20BG · 전자 부품
- 제조사
- Microchip Technology
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 2 MA @ 200 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 950 MV @ 100 A
1SS55-T4-AZ · 전자 부품
- 제조사
- Renesas Electronics America Inc
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 100 NA @ 75 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 700 MV @ 1 MA
1SS226 · 전자 부품
- 제조사
- Toshiba Semiconductor And Storage
- 평균 정류 전류 (Io) / 다이오드
- 100mA
- 동작 접합 온도
- 125°C (Max)
IDH10G65C6XKSA1 · 전자 부품
- 제조사
- Infineon Technologies
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 33 µA @ 420 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 1.35 V @ 10 A
1N4154 · 전자 부품
- 제조사
- NTE Electronics, Inc
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 100 NA @ 25 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 1 V @ 30 MA
BAS40-04Q-7-F · 전자 부품
- 제조사
- Diodes Incorporated
- 평균 정류 전류 (Io) / 다이오드
- 200mA (DC)
- 동작 접합 온도
- -55°C ~ 125°C
IDW75D65D1XKSA1 · 전자 부품
- 제조사
- Infineon Technologies
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 40 µA @ 650 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 1.7 V @ 75 A
B340AXF-13 · 전자 부품
- 제조사
- Diodes Incorporated
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 200 µA @ 40 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 500 MV @ 3 A
APT75DQ120BG · 전자 부품
- 제조사
- Microchip Technology
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 100 µA @ 1200 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 3.1 V @ 75 A
SA2J-E3/5AT · 전자 부품
- 제조사
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 3 µA @ 600 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 1.1 V @ 2 A