1N485B · 전자 부품
- 제조사
- NTE Electronics, Inc
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 25 NA @ 175 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 1 V @ 100 MA
제품
MBR10100CT_T0_00001 · 전자 부품
- 제조사
- Panjit International Inc.
- 평균 정류 전류 (Io) / 다이오드
- 10A
- 동작 접합 온도
- -65°C ~ 175°C
1N4005-TP · 전자 부품
- 제조사
- Micro Commercial Co
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 5 µA @ 600 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 1.1 V @ 1 A
VSSA3L6S-M3/61T · 전자 부품
- 제조사
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 1.5 MA @ 60 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 580 MV @ 3 A
1SS424(TPL3 · 전자 부품
- 제조사
- Toshiba Semiconductor And Storage
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 50 µA @ 20 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 500 MV @ 200 MA
FES2DEQ-7 · 전자 부품
- 제조사
- Diodes Incorporated
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 5 µA @ 200 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 920 MV @ 2 A
1N4935-T · 전자 부품
- 제조사
- Diodes Incorporated
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 5 µA @ 200 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 1.2 V @ 1 A
PU3JB · 전자 부품
- 제조사
- Taiwan Semiconductor Corporation
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 2 µA @ 600 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 1.7 V @ 3 A
V40PWM63CHM3/I · 전자 부품
- 제조사
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- 평균 정류 전류 (Io) / 다이오드
- 20A
- 동작 접합 온도
- -40°C ~ 175°C
BAS21-HE3-18 · 전자 부품
- 제조사
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 100 NA @ 200 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 1.25 V @ 200 MA
SURS8260T3G-VF01 · 전자 부품
- 제조사
- Onsemi
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 5 µA @ 600 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 1.45 V @ 2 A