제품
1SS372(TE85L · 전자 부품
- 제조사
- Toshiba Semiconductor And Storage
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 20 µA @ 10 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 500 MV @ 100 MA
BAW56-G3-18 · 전자 부품
- 제조사
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- 평균 정류 전류 (Io) / 다이오드
- 250mA
- 동작 접합 온도
- 150°C (Max)
NTE506 · 전자 부품
- 제조사
- NTE Electronics, Inc
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 5 MA @ 1500 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 2.5 V @ 500 MA
B320AF-13 · 전자 부품
- 제조사
- Diodes Incorporated
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 200 µA @ 20 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 500 MV @ 3 A
MMBD7000-G3-08 · 전자 부품
- 제조사
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- 평균 정류 전류 (Io) / 다이오드
- 200mA (DC)
- 동작 접합 온도
- -55°C ~ 150°C
PMEG2005ELD · 전자 부품
- 제조사
- Nexperia USA Inc.
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 30 µA @ 10 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 500 MV @ 500 MA
MMBD4148SE · 전자 부품
- 제조사
- Taiwan Semiconductor Corporation
- 평균 정류 전류 (Io) / 다이오드
- 200mA
- 동작 접합 온도
- -55°C ~ 150°C
1N645 · 전자 부품
- 제조사
- Solid State Inc.
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 200 NA @ 225 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 1 V @ 400 MA
NTE578 · 전자 부품
- 제조사
- NTE Electronics, Inc
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 500 µA @ 90 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 790 MV @ 1 A
RB731UTW_R1_00001 · 전자 부품
- 제조사
- Panjit International Inc.
- 평균 정류 전류 (Io) / 다이오드
- 30mA
- 동작 접합 온도
- -55°C ~ 125°C
BAT42W · 전자 부품
- 제조사
- Taiwan Semiconductor Corporation
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 500 NA @ 25 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 1 V @ 200 MA
BAV99-G3-18 · 전자 부품
- 제조사
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- 평균 정류 전류 (Io) / 다이오드
- 150mA
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 1.25 V @ 150 MA
V1PM15-M3/H · 전자 부품
- 제조사
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 50 µA @ 150 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 1.21 V @ 1 A