제품
SS110LSH · 전자 부품
- 제조사
- Taiwan Semiconductor Corporation
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 50 µA @ 100 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 800 MV @ 1 A
BAS70-06 · 전자 부품
- 제조사
- Taiwan Semiconductor Corporation
- 평균 정류 전류 (Io) / 다이오드
- 70mA (DC)
- 동작 접합 온도
- -55°C ~ 125°C
NTE5837 · 전자 부품
- 제조사
- NTE Electronics, Inc
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 10 µA @ 300 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 1.2 V @ 3 A
BAT54SW · 전자 부품
- 제조사
- Taiwan Semiconductor Corporation
- 평균 정류 전류 (Io) / 다이오드
- 200mA (DC)
- 동작 접합 온도
- 125°C (Max)
BAT54WS-HE3-08 · 전자 부품
- 제조사
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 2 µA @ 25 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 800 MV @ 100 MA
BAT54AW · 전자 부품
- 제조사
- Taiwan Semiconductor Corporation
- 평균 정류 전류 (Io) / 다이오드
- 200mA (DC)
- 동작 접합 온도
- 125°C (Max)
1N646UR-1/TR · 전자 부품
- 제조사
- Microchip Technology
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 200 NA @ 300 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 1 V @ 400 MA
PCDP1065GC_T0_00601 · 전자 부품
- 제조사
- Panjit International Inc.
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 100 µA @ 650 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 1.8 V @ 10 A
BAT43WS-HE3-08 · 전자 부품
- 제조사
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 500 NA @ 25 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 450 MV @ 15 MA
1N485BUR/TR · 전자 부품
- 제조사
- Microchip Technology
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 100 µA @ 200 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 1 V @ 100 MA
PMEG4010EPK · 전자 부품
- 제조사
- Nexperia USA Inc.
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 4 µA @ 1 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 600 MV @ 1 A
V2PM10-M3/H · 전자 부품
- 제조사
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 50 µA @ 100 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 830 MV @ 2 A