JANTX1N5806US · 전자 부품
- 제조사
- Microchip Technology
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 1 µA @ 150 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 875 MV @ 1 A
제품
BAS70SDW-AU_R1_000A1 · 전자 부품
- 제조사
- Panjit International Inc.
- 평균 정류 전류 (Io) / 다이오드
- 200mA
- 동작 접합 온도
- -55°C ~ 125°C
MSS1P5-M3/89A · 전자 부품
- 제조사
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 150 µA @ 50 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 680 MV @ 1 A
1N3070UR-1/TR · 전자 부품
- 제조사
- Microchip Technology
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 100 NA @ 175 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 1 V @ 100 MA
BAS40-05 · 전자 부품
- 제조사
- Taiwan Semiconductor Corporation
- 평균 정류 전류 (Io) / 다이오드
- 200mA
- 동작 접합 온도
- -65°C ~ 125°C
BAS40W-7-F · 전자 부품
- 제조사
- Diodes Incorporated
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 200 NA @ 30 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 1 V @ 40 MA
VS-1N1184 · 전자 부품
- 제조사
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 10 MA @ 100 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 1.7 V @ 110 A
BAV23C-G3-18 · 전자 부품
- 제조사
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- 평균 정류 전류 (Io) / 다이오드
- 200mA (DC)
- 동작 접합 온도
- 150°C (Max)
RB558VAM150TR · 전자 부품
- 제조사
- Rohm Semiconductor
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 500 NA @ 150 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 950 MV @ 500 MA
BAS21C · 전자 부품
- 제조사
- Taiwan Semiconductor Corporation
- 평균 정류 전류 (Io) / 다이오드
- 200mA
- 동작 접합 온도
- -55°C ~ 150°C
NTE5847 · 전자 부품
- 제조사
- NTE Electronics, Inc
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 10 µA @ 800 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 1.2 V @ 3 A
BAS45A · 전자 부품
- 제조사
- Nexperia USA Inc.
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 1 NA @ 125 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 1 V @ 100 MA
BAV170E6433HTMA1 · 전자 부품
- 제조사
- Infineon Technologies
- 평균 정류 전류 (Io) / 다이오드
- 200mA (DC)
- 동작 접합 온도
- 150°C (Max)
CDLL5819/TR · 전자 부품
- 제조사
- Microchip Technology
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 50 µA @ 45 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 490 MV @ 1 A