1SS190TE85LF · 전자 부품
- 제조사
- Toshiba Semiconductor And Storage
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 500 NA @ 80 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 1.2 V @ 100 MA
제품
MBRB10100CT-E3/4W · 전자 부품
- 제조사
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- 평균 정류 전류 (Io) / 다이오드
- 5A
- 동작 접합 온도
- -65°C ~ 150°C
XBS023P11R-G · 전자 부품
- 제조사
- Torex Semiconductor Ltd
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 100 µA @ 30 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 500 MV @ 200 MA
HER1008GH · 전자 부품
- 제조사
- Taiwan Semiconductor Corporation
- 평균 정류 전류 (Io) / 다이오드
- 10A
- 동작 접합 온도
- -55°C ~ 150°C
MBR140HW · 전자 부품
- 제조사
- SMC Diode Solutions
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 500 µA @ 40 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 550 MV @ 1 A
VS-16CTU04STRR-M3 · 전자 부품
- 제조사
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- 평균 정류 전류 (Io) / 다이오드
- 8A
- 동작 접합 온도
- -65°C ~ 175°C
BAS21VMTE-17 · 전자 부품
- 제조사
- Rohm Semiconductor
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 100 NA @ 200 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 1.25 V @ 200 MA
V30M120M-E3/4W · 전자 부품
- 제조사
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- 평균 정류 전류 (Io) / 다이오드
- 15A
- 동작 접합 온도
- -55°C ~ 175°C
BAT42W-E3-18 · 전자 부품
- 제조사
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 500 NA @ 25 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 650 MV @ 50 MA
VBT3060C-E3/4W · 전자 부품
- 제조사
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- 평균 정류 전류 (Io) / 다이오드
- 15A
- 동작 접합 온도
- -40°C ~ 150°C
BAT64C-7-F · 전자 부품
- 제조사
- Diodes Incorporated
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 2 µA @ 40 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 750 MV @ 100 MA
HER1005GH · 전자 부품
- 제조사
- Taiwan Semiconductor Corporation
- 평균 정류 전류 (Io) / 다이오드
- 10A
- 동작 접합 온도
- -55°C ~ 150°C
BAS40L2-TP · 전자 부품
- 제조사
- Micro Commercial Co
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 200 NA @ 30 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 1 V @ 40 MA
SRF1660H · 전자 부품
- 제조사
- Taiwan Semiconductor Corporation
- 평균 정류 전류 (Io) / 다이오드
- 16A
- 동작 접합 온도
- -55°C ~ 150°C
BA158-E3/54 · 전자 부품
- 제조사
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 5 µA @ 600 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 1.3 V @ 1 A