ESH1DFSH · 전자 부품
- 제조사
- Taiwan Semiconductor Corporation
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 5 µA @ 200 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 940 MV @ 1 A
제품
VB40100G-E3/4W · 전자 부품
- 제조사
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- 평균 정류 전류 (Io) / 다이오드
- 20A
- 동작 접합 온도
- -40°C ~ 150°C
RB751V-40HE3-TP · 전자 부품
- 제조사
- Micro Commercial Co
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 500 NA @ 30 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 370 MV @ 1 MA
SK14BH · 전자 부품
- 제조사
- Taiwan Semiconductor Corporation
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 500 µA @ 40 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 500 MV @ 1 A
RB551V-30HE3-TP · 전자 부품
- 제조사
- Micro Commercial Co
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 100 µA @ 20 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 470 MV @ 500 MA
MBR30H100CTH · 전자 부품
- 제조사
- Taiwan Semiconductor Corporation
- 평균 정류 전류 (Io) / 다이오드
- 30A
- 동작 접합 온도
- -55°C ~ 175°C
MBRD320 · 전자 부품
- 제조사
- SMC Diode Solutions
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 200 µA @ 20 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 600 MV @ 3 A
MBRF20L100CT · 전자 부품
- 제조사
- Taiwan Semiconductor Corporation
- 평균 정류 전류 (Io) / 다이오드
- 20A
- 동작 접합 온도
- -55°C ~ 150°C
US2D-TP · 전자 부품
- 제조사
- Micro Commercial Co
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 5 µA @ 200 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 1 V @ 2 A
GIB2401HE3_A/P · 전자 부품
- 제조사
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- 평균 정류 전류 (Io) / 다이오드
- 16A
- 동작 접합 온도
- -65°C ~ 150°C
RS2D-M3/52T · 전자 부품
- 제조사
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 5 µA @ 200 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 1.3 V @ 1.5 A
VB40100G-E3/8W · 전자 부품
- 제조사
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- 평균 정류 전류 (Io) / 다이오드
- 20A
- 동작 접합 온도
- -40°C ~ 150°C
SS10150HE-AU_R1_000A1 · 전자 부품
- 제조사
- Panjit International Inc.
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 30 µA @ 150 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 850 MV @ 1 A
RS2D-M3/5BT · 전자 부품
- 제조사
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 5 µA @ 200 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 1.3 V @ 1.5 A
VS-30CTQ080HN3 · 전자 부품
- 제조사
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- 평균 정류 전류 (Io) / 다이오드
- 15A
- 동작 접합 온도
- -55°C ~ 175°C