FEPF16HTHE3_A/P · 전자 부품
- 제조사
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- 평균 정류 전류 (Io) / 다이오드
- 8A
- 동작 접합 온도
- -55°C ~ 150°C
제품
MUR115SH · 전자 부품
- 제조사
- Taiwan Semiconductor Corporation
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 2 µA @ 150 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 875 MV @ 1 A
SBL2030PT-E3/45 · 전자 부품
- 제조사
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- 평균 정류 전류 (Io) / 다이오드
- 20A
- 동작 접합 온도
- -40°C ~ 125°C
PMEG100T10ELXD-QX · 전자 부품
- 제조사
- Nexperia USA Inc.
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 500 NA @ 100 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 795 MV @ 1 A
VX6045CHM3/P · 전자 부품
- 제조사
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- 평균 정류 전류 (Io) / 다이오드
- 30A
- 동작 접합 온도
- -40°C ~ 150°C
RB551V-30FTE-17 · 전자 부품
- 제조사
- Rohm Semiconductor
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 100 µA @ 20 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 470 MV @ 500 MA
TSF20U45C · 전자 부품
- 제조사
- Taiwan Semiconductor Corporation
- 평균 정류 전류 (Io) / 다이오드
- 10A
- 동작 접합 온도
- -55°C ~ 150°C
SB1200AH_R1_00001 · 전자 부품
- 제조사
- Panjit International Inc.
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 1.8 µA @ 200 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 850 MV @ 1 A
SF26G · 전자 부품
- 제조사
- Taiwan Semiconductor Corporation
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 5 µA @ 400 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 1.3 V @ 2 A
1N4002E-E3/53 · 전자 부품
- 제조사
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 5 µA @ 100 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 1.1 V @ 1 A
SK33AH · 전자 부품
- 제조사
- Taiwan Semiconductor Corporation
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 500 µA @ 30 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 550 MV @ 3 A
VX60M60CHM3/P · 전자 부품
- 제조사
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- 평균 정류 전류 (Io) / 다이오드
- 30A
- 동작 접합 온도
- -40°C ~ 175°C
US1MH · 전자 부품
- 제조사
- Taiwan Semiconductor Corporation
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 5 µA @ 1000 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 1.7 V @ 1 A
FR2GAFC_R1_00001 · 전자 부품
- 제조사
- Panjit International Inc.
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 1 µA @ 400 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 1.3 V @ 2 A